廣芯微電子公司建設(shè)項目分為二期進(jìn)行，計劃總投資約30億元，總占地面積148畝。一期新建廠房及配套設(shè)施占地3萬余平方米，主要面向6英寸特色工藝高端硅基功率半導(dǎo)體器件，包含IGBT、TMBS等。二期新建廠房及配套設(shè)施占地1.4萬余平方米，主要面向第三代半導(dǎo)體碳化硅、氮化鎵功率器件及8英寸特色工藝高端硅基功率器件，包含中低壓分立柵（Split-gate Trench MOS）、超級結(jié)（CoolMOS）、高壓BCD工藝等。

二期建設(shè)全部完成投產(chǎn)后，將實現(xiàn)年產(chǎn)折合6英寸240萬片特色工藝硅基功率半導(dǎo)體晶圓及年產(chǎn)3.6萬片第三代半導(dǎo)體碳化硅、氮化鎵晶圓。從而滿足我國面向能源革命、高壓軌道交通及特高壓電力系統(tǒng)等對功率半導(dǎo)體分立器件、電源管理芯片的需求。

項目建成達(dá)產(chǎn)后可形成年產(chǎn)240萬片6英寸高端特色硅基晶圓的生產(chǎn)能力，以滿足我國面向能源革命、高壓軌道交通及特高壓電力系統(tǒng)等對功率半導(dǎo)體分立器件、電源管理芯片的需求，預(yù)計達(dá)產(chǎn)后可實現(xiàn)年營業(yè)收入28.5億元、稅收1.1億元、營業(yè)利潤2.8億元，稅收1.1億元，工業(yè)增加值7.3億元，新增就業(yè)960余人。