工作職責(zé)與任務(wù):
1.負(fù)責(zé)新產(chǎn)品開發(fā)需求擬制,能從系統(tǒng)適用性、競(jìng)爭(zhēng)性、成本等多維度提取參數(shù)邊界,精準(zhǔn)定義產(chǎn)品,輸出芯片、封裝成品的設(shè)計(jì)要求。
2.負(fù)責(zé)新產(chǎn)品開發(fā)進(jìn)度跟進(jìn),芯片流片、模塊試封、成測(cè)測(cè)評(píng)等,并分析、識(shí)別、處理產(chǎn)品開發(fā)過(guò)程中的各類異常,包含封裝和可靠性等。
3.負(fù)責(zé)新產(chǎn)品測(cè)評(píng)開發(fā)與認(rèn)定,測(cè)試規(guī)范擬制及優(yōu)化升級(jí)。
4.負(fù)責(zé)產(chǎn)品定型、轉(zhuǎn)批評(píng)審、客訴分析。
5.負(fù)責(zé)產(chǎn)品規(guī)格書的制作、審核及更新。
6.負(fù)責(zé)芯片及封裝成品電性測(cè)試和可靠性實(shí)驗(yàn)跟蹤,并完成測(cè)試及實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析。
四、崗位技能要求:
1.本科及以上學(xué)歷,電力電子、半導(dǎo)體或相關(guān)專業(yè),3年以上工作經(jīng)驗(yàn),碩士?jī)?yōu)先,國(guó)際功率器件半導(dǎo)體廠家工作經(jīng)歷者優(yōu)先。
2.熟悉IGBT、SIC、功率模塊技術(shù)原理、研發(fā)工藝、可靠性要求,熟悉各項(xiàng)參數(shù)和測(cè)試原理,掌握失效分析手段和流程。
3.有較強(qiáng)的研發(fā)項(xiàng)目的管理經(jīng)驗(yàn),溝通協(xié)調(diào)能力強(qiáng),責(zé)任心及團(tuán)隊(duì)合作精神優(yōu)秀。
4.良好的英語(yǔ)聽說(shuō)讀寫能力,較強(qiáng)的學(xué)習(xí)能力。
5. 從事過(guò)基于IGBT的變流裝置的研發(fā)或應(yīng)用,使用過(guò)電路設(shè)計(jì)或仿真軟件優(yōu)先考慮;
6.性格外向,有良好的溝通協(xié)調(diào)能力,工作責(zé)任心和執(zhí)行力佳。
職位福利:餐補(bǔ)、高溫補(bǔ)貼、定期體檢、績(jī)效獎(jiǎng)金、帶薪年假、五險(xiǎn)一金