崗位職責(zé):
1. 主導(dǎo)公司平臺器件技術(shù)路線圖制定，覆蓋IC芯片、功率器件（IGBT/SiC/GaN）、被動件（MLCC/電感/電阻）等核心品類；
2. 研究第三代半導(dǎo)體、高密度集成技術(shù)、車規(guī)級器件可靠性等行業(yè)前沿趨勢，輸出年度《器件技術(shù)發(fā)展白皮書》；
3. 建立器件選型技術(shù)標準庫（含電性參數(shù)、失效模式、應(yīng)用場景匹配度三維評估模型）；
4. 制定器件測試認證企業(yè)標準（如AEC-Q200升級、JEDEC標準本地化適配）；
5. 開發(fā)創(chuàng)新性測試方法（如SiC MOSFET動態(tài)特性在線監(jiān)測方案）；
6. 牽頭器件失效根因分析體系建設(shè)，建立失效模式與設(shè)計/工藝的映射關(guān)系庫；
7. 為研發(fā)部門提供器件選型技術(shù)可行性評審，規(guī)避設(shè)計風(fēng)險；
8. 主導(dǎo)器件技術(shù)培訓(xùn)體系開發(fā)（含新人基礎(chǔ)課程、專家進階工作坊）；
9. 聯(lián)合品質(zhì)部門建立器件質(zhì)量預(yù)警指標系統(tǒng)。

任職要求:
1. 本科及以上學(xué)歷，微電子、材料科學(xué)、電力電子相關(guān)專業(yè)；
2. 5年以上電子元器件行業(yè)經(jīng)驗；
3. 精通半導(dǎo)體器件/被動器件物理特性，掌握TCAD仿真、HTRB/H3TRB等可靠性試驗設(shè)計，對器件可靠性邊界研究；
4. 具有3個以上完整技術(shù)路線規(guī)劃項目經(jīng)驗（需提供方案節(jié)選）；
5、技術(shù)前瞻性：能預(yù)判器件技術(shù)迭代對產(chǎn)品架構(gòu)的影響（如GaN對電源模塊小型化的推動）；
6、具備與研發(fā)、采購、生產(chǎn)的全鏈條技術(shù)對話能力；
7、其他技能：具備較強的項目管理落地和復(fù)盤能力；具備技術(shù)敏銳洞察力和抗壓能力；具備復(fù)雜問題解決能力；接受短期或突發(fā)事件出差要求。