中國科學(xué)院物理研究所應(yīng)用物理中心成立于2019年3月,并于2023年6月30日成為實(shí)體化創(chuàng)新特區(qū)。其使命是面向國家戰(zhàn)略需求,以未來重大應(yīng)用為導(dǎo)向,立足物理學(xué)前沿,開展建制化的研究,基于新原理、新概念、新材料、新結(jié)構(gòu)、新器件和新工藝,大幅超越現(xiàn)有技術(shù)框架下的性能極限,實(shí)現(xiàn)顛覆性技術(shù)應(yīng)用?,F(xiàn)面向海內(nèi)外招聘學(xué)術(shù)帶頭人、研究骨干、技術(shù)人員等優(yōu)秀人才,誠邀有志之士加盟。
1、高溫超導(dǎo)器件
1.1學(xué)術(shù)帶頭人,一人崗位性質(zhì):崗位聘用,主持高溫超導(dǎo)器件物理及相關(guān)應(yīng)用研究招聘要求:年齡原則上在40周歲以下,具有博士學(xué)位,具有國內(nèi)外知名大學(xué)(科研機(jī)構(gòu))學(xué)習(xí)和工作經(jīng)歷具有豐富的超導(dǎo)電子器件研究經(jīng)驗(yàn)具有微波技術(shù)研究經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先能把握超導(dǎo)電子學(xué)的發(fā)展方向,有較強(qiáng)的團(tuán)隊(duì)領(lǐng)導(dǎo)能力。
1.2研究骨干,一人崗位性質(zhì):崗位聘用,開展高溫超導(dǎo)器件的研制工作招聘要求:具有國內(nèi)知名高?;蚩蒲袡C(jī)構(gòu)碩士或以上學(xué)位具有超導(dǎo)電子器件的研制經(jīng)驗(yàn)具有微納加工經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先具有良好的溝通能力和團(tuán)隊(duì)協(xié)作能力。
1.3技術(shù)人員,二人崗位性質(zhì)項(xiàng)目聘用,從事高溫超導(dǎo)器件的研發(fā),包括器件工藝的開發(fā)及優(yōu)化、器件制備及測(cè)試等招聘要求物理、微電子、半導(dǎo)體等相關(guān)專業(yè)本科或以上學(xué)歷有微納加工經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先有良好的敬業(yè)精神和團(tuán)隊(duì)協(xié)作能力。
2、磁性絕緣體材料與器件
2.1學(xué)術(shù)帶頭人,一人崗位性質(zhì):崗位聘用,主持磁性微波器件方向的研究工作招聘要求:年齡原則上在40周歲以下,具有博士學(xué)位,具有國內(nèi)外知名大學(xué)(科研機(jī)構(gòu))學(xué)習(xí)和工作經(jīng)歷具有磁性材料研究經(jīng)驗(yàn)熟悉微波技術(shù)。
2.2研究骨干,一人崗位性質(zhì):崗位聘用,開展應(yīng)用磁學(xué)方向的研究工作招聘要求:年齡原則上在35周歲以下,具有國內(nèi)較知名高?;蚩蒲袡C(jī)構(gòu)的博士學(xué)位具有磁性微波器件開發(fā)或弱磁信號(hào)測(cè)量經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先。
2.3技術(shù)人員,二人崗位性質(zhì):項(xiàng)目聘用,開展磁性微波器件研制或弱磁探測(cè)技術(shù)工作招聘要求:具有理工科本科及以上學(xué)歷具有從事相關(guān)工作的經(jīng)驗(yàn)。
3、先進(jìn)光學(xué)探測(cè)
3.1學(xué)術(shù)骨干,一人崗位性質(zhì):崗位聘用,開展量子成像、計(jì)算成像方向的研究工作招聘要求:具有國內(nèi)較知名高?;蚩蒲袡C(jī)構(gòu)博士學(xué)位和工作經(jīng)歷年齡原則上在35周歲以下熟練掌握Zemax、Lightools、Optisystem、VPI,Matlab、Python、C++和Labview等一項(xiàng)以上軟件開發(fā)仿真和設(shè)計(jì)能力; 或具備光學(xué)元器件開發(fā)能力:熟悉如超表面、二值編碼板/DMD等空間調(diào)控器件制作工藝,了解先進(jìn)算法,如深度學(xué)習(xí)、壓縮感知、FWHT/FFT/DCT、遺傳算法等。或具備安卓等手機(jī)軟件開發(fā)能力,建立交互界面與集成APP能力,或具有手機(jī)鏡頭模組開發(fā)經(jīng)驗(yàn); 或具備數(shù)字電路設(shè)計(jì)仿真能力,熟悉FPGA,DSP,單片機(jī)樹莓派等開發(fā),具備光電探測(cè)和信號(hào)處理電路研制能力?;蚓邆浼す馄鳒囟群皖l率控制電路、鎖相電路、FMCW電路開發(fā)經(jīng)驗(yàn)。
3.2學(xué)術(shù)骨干,一人崗位性質(zhì):崗位聘用,開展光學(xué)微腔傳感器、微腔激光器等的研制工作招聘要求;具有國內(nèi)或國際知名高?;蚩蒲袡C(jī)構(gòu)的博士學(xué)位和工作經(jīng)歷,年齡原則上在35周歲以下具有微納光學(xué)、集成光學(xué)器件、光學(xué)傳感學(xué)術(shù)背景,具有獨(dú)立科研能力,具有微納加工經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先具有較強(qiáng)的表達(dá)能力、良好的溝通能力、較強(qiáng)的團(tuán)隊(duì)合作能力。
3.3技術(shù)人員,一人崗位性質(zhì):項(xiàng)目聘用,負(fù)責(zé)光學(xué)微腔、微腔傳感器、微腔激光器等器件的制備、工藝開發(fā)、器件表征,性能測(cè)試等。協(xié)助項(xiàng)目組編寫項(xiàng)目年度總結(jié)、結(jié)題報(bào)告,及會(huì)務(wù)組織等。招聘要求:具有物理、光學(xué)、光電子、或微電子專業(yè)的本科及以上學(xué)歷,有微加工經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先。責(zé)任心強(qiáng),工作積極主動(dòng),具有良好的溝通及團(tuán)隊(duì)協(xié)作能力。
3.4技術(shù)人員,一人崗位性質(zhì):項(xiàng)目聘用,負(fù)責(zé)光學(xué)系統(tǒng)搭建、實(shí)驗(yàn)測(cè)試、數(shù)據(jù)處理與分析、實(shí)驗(yàn)報(bào)告編寫與匯報(bào),協(xié)助項(xiàng)目組完成項(xiàng)目申報(bào)、中期、結(jié)題過程中的會(huì)務(wù)組織、報(bào)告編寫和文件簽章打印等工作,以及項(xiàng)目負(fù)責(zé)人交辦的其它事宜。招聘要求:具有物理、光學(xué)專業(yè)的本科及以上學(xué)歷,有完整參與過項(xiàng)目申報(bào)與結(jié)題經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先。責(zé)任心強(qiáng),積極主動(dòng),具有良好的團(tuán)隊(duì)協(xié)作精神。
4、低溫半導(dǎo)體放大器
4.1學(xué)術(shù)帶頭人,一人崗位性質(zhì):崗位聘用,負(fù)責(zé)低溫環(huán)境下工作的微波、毫米波HEMT芯片的設(shè)計(jì)與研制工作招聘要求:原則上年齡在40周歲以下,具有博士學(xué)位,具有國內(nèi)外知名大學(xué)(科研機(jī)構(gòu))學(xué)習(xí)或工作經(jīng)歷具有高頻HEMT芯片微納加工制備經(jīng)驗(yàn)。
4.2技術(shù)人員,二人 崗位性質(zhì):項(xiàng)目聘用,參與低溫HEMT芯片研發(fā)過程,負(fù)責(zé)器件微納加工的細(xì)節(jié)摸索,負(fù)責(zé)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)的記錄、處理、分析等相關(guān)工作招聘要求:微電子、物理、化學(xué)、材料、機(jī)械工程等相關(guān)本科以上學(xué)歷,有HEMT芯片設(shè)計(jì)加工、MEMS經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先具有微納加工背景,光刻工藝、器件表征等相關(guān)經(jīng)驗(yàn)具有良好的學(xué)習(xí)、溝通及協(xié)作能力,工作積極主動(dòng),責(zé)任心強(qiáng)。
5、固態(tài)制冷技術(shù)
5.1學(xué)術(shù)帶頭人,一人崗位性質(zhì):崗位聘用,主持新型固態(tài)制冷材料方向的研究招聘要求:具有國內(nèi)國際知名高校或科研機(jī)構(gòu)的博士學(xué)位具有博士后經(jīng)歷或相關(guān)工作經(jīng)歷,且在本領(lǐng)域做出過較重要的研究成果。
5.2技術(shù)骨干,一人崗位性質(zhì):崗位聘用,從事固態(tài)制冷材料或器件的研發(fā)招聘要求:具有國內(nèi)較知名高?;蚩蒲袡C(jī)構(gòu)碩士及以上學(xué)位在相關(guān)領(lǐng)域具有出色的技術(shù)背景和業(yè)績(jī)。
5.3技術(shù)人員,二人崗位性質(zhì):項(xiàng)目聘用,在方向帶頭人和工程師帶領(lǐng)下,從事材料開發(fā)、材料性能測(cè)試、器件組裝和評(píng)估方面的具體工作招聘要求;具有本科及以上學(xué)歷畢業(yè),有理工科背景,有責(zé)任心。
6、微波技術(shù)研發(fā)平臺(tái)
6.1技術(shù)骨干,一人崗位性質(zhì):崗位聘用,從事高頻電子器件的設(shè)計(jì)、測(cè)試及相關(guān)技術(shù)開發(fā)招聘要求:碩士或以上學(xué)歷,微電子、集成電路、通信、電磁場(chǎng)與微波等相關(guān)專業(yè)具有高頻(如射頻、微波毫米波、太赫茲等)電路、模塊的設(shè)計(jì)、開發(fā)、調(diào)試經(jīng)驗(yàn)掌握常用射頻測(cè)試儀器(頻譜儀、信號(hào)源、矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀等)使用方法,熟悉各種微波測(cè)試方法具有微波射頻芯片設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先。
另,研究方向1-5均招收博士后。