工作內(nèi)容:
1、負(fù)責(zé)各種功率器件(IGBT,MOSFET,F(xiàn)RD等)的技術(shù)開發(fā)工作;
2、負(fù)責(zé)功率芯片的仿真,版圖設(shè)計及工藝設(shè)計;
3、負(fù)責(zé)產(chǎn)品開發(fā)試驗(yàn)的制定及實(shí)施;
4、負(fù)責(zé)產(chǎn)品測試規(guī)范的制定,測試實(shí)驗(yàn),測試數(shù)據(jù)分析及失效分析;
5、配合終端要求解決客戶反饋的技術(shù)問題;
6、根據(jù)行業(yè)及技術(shù)前沿,負(fù)責(zé)各種新技術(shù),新產(chǎn)品的開發(fā)工作;
7、完成領(lǐng)導(dǎo)交辦的其他工作。
任職資格:
基本要求(學(xué)歷、專業(yè)、年齡):
本科及以上學(xué)歷,微電子/物理/電子/半導(dǎo)體等相關(guān)專業(yè)優(yōu)先,25-35歲。
從業(yè)經(jīng)歷:
3年以上經(jīng)驗(yàn),有產(chǎn)品或項(xiàng)目開發(fā)經(jīng)驗(yàn),熟悉半導(dǎo)體器件和工藝技術(shù)。
專業(yè)技能:
1、熟悉IGBT、MOS等功率半導(dǎo)體器件的性能和特點(diǎn);
2、掌握一種以上器件仿真及版圖設(shè)計工具;
3、精通電子技術(shù),有扎實(shí)的電子電路理論基礎(chǔ)。
4、具有良好的溝通能力和團(tuán)隊(duì)協(xié)作能力,英語熟練。
5、具備較強(qiáng)的數(shù)據(jù)分析能力,能熟練使用相關(guān)軟件。
職位福利:五險一金、績效獎金、節(jié)日福利、周末雙休、不加班、員工食堂