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一、任職要求：

1.學(xué)歷：碩士及以上學(xué)歷，微電子、光學(xué)工程、物理、材料等相關(guān)專業(yè)。

2.工作經(jīng)驗(yàn)：

1)5 年以上半導(dǎo)體工藝整合/研發(fā)經(jīng)驗(yàn)，必須具備 12 英寸晶圓廠 40nm 及以下節(jié)點(diǎn)實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn)。

2)至少主導(dǎo)過(guò) Contact/Via/Hole 模塊中任一環(huán)節(jié)的工藝開(kāi)發(fā)（OPC、光刻、刻蝕、ALD 填充、

CMP）。

3)熟練使用檢測(cè)分析工具：SEM/TEM 剖面分析、EDX 成分檢測(cè)、缺陷掃描（KLA）等。

4)有 OPC/DUV immersion 工藝經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先考慮。

3.具備能力：

1) 具備 DOE 設(shè)計(jì)及數(shù)據(jù)分析能力（JMP/JMP Pro 優(yōu)先）。

2) 出色的跨部門協(xié)作與風(fēng)險(xiǎn)預(yù)判能力，能主導(dǎo)技術(shù)難題攻關(guān)。

二、崗位職責(zé)：

1. 高深寬比通孔技術(shù)開(kāi)發(fā)：

1)主導(dǎo) 40nm 及以下節(jié)點(diǎn)的高深寬比的 Contact/Via/Hole 工藝整合研發(fā)。

2)優(yōu)化光刻-刻蝕-填充-平坦化全流程工藝，解決關(guān)鍵缺陷（孔洞、縫隙、過(guò)度侵蝕等）。

2. 工藝窗口提升：

1)設(shè)計(jì) DOE 實(shí)驗(yàn)，協(xié)同 OPC、光刻、刻蝕、薄膜、CMP 團(tuán)隊(duì)，提升高深寬比通孔的均勻性、

良率及可靠性。

3. 跨部門技術(shù)整合：

1)與器件研發(fā)團(tuán)隊(duì)合作，優(yōu)化 Contact/Via/Hole 結(jié)構(gòu)，從而滿足器件性能指標(biāo)。

2)協(xié)同設(shè)計(jì)部門制定 Design Rules。

4. 量產(chǎn)轉(zhuǎn)移支持：

1) 主導(dǎo)新工藝從研發(fā)線向量產(chǎn)線的轉(zhuǎn)移，建立管控標(biāo)準(zhǔn)（SPC）和故障分析流程。

三、福利待遇：

1、行業(yè)有競(jìng)爭(zhēng)力的薪酬（具體薪資面談）；

2、五險(xiǎn)一金，國(guó)家法定假期，不定期團(tuán)建活動(dòng)、年度體檢、節(jié)日禮品、生日禮金等；

3、行業(yè)內(nèi)專家學(xué)者定期座談、交流和培訓(xùn)，提升專業(yè)能力和綜合素養(yǎng)；

4、崗位具有較大晉升空間，如工作表現(xiàn)達(dá)到公司預(yù)期，優(yōu)先獲得公司股權(quán)激勵(lì)等。