工作職責(zé):
1、負(fù)責(zé)750V/1200V/1700V IGBT模塊的IGBT晶圓設(shè)計(jì):負(fù)責(zé)對接IGBT模塊研發(fā)部門,根據(jù)其需求進(jìn)行IGBT晶圓立項(xiàng)開發(fā),并根據(jù)需求與TD部門溝通工藝,完成仿真,版圖設(shè)計(jì),DOE設(shè)計(jì),流片驗(yàn)證,可靠性驗(yàn)證,分析產(chǎn)品特性根據(jù)AE的評估結(jié)果或者客戶的問題反饋進(jìn)行器件優(yōu)化
2、負(fù)責(zé)工程實(shí)驗(yàn)規(guī)劃、進(jìn)度追蹤、產(chǎn)品失效分析及改善,撰寫整理實(shí)驗(yàn)報(bào)告及改進(jìn)措施
3、負(fù)責(zé)新項(xiàng)目的技術(shù)可行性評估,與AE組/TD組/模塊組的相關(guān)技術(shù)溝通,內(nèi)部溝通協(xié)調(diào)工程資源,按照項(xiàng)目開發(fā)計(jì)劃推動(dòng)落實(shí)。細(xì)化新產(chǎn)品項(xiàng)目開發(fā)細(xì)化、執(zhí)行、監(jiān)督,協(xié)調(diào),確保各項(xiàng)目節(jié)點(diǎn)按時(shí)交付
4、當(dāng)負(fù)責(zé)的芯片在模塊上發(fā)生問題時(shí),協(xié)助模塊部門進(jìn)行失效分析以及異常排查工作
3300V工程師工作職責(zé):
1、負(fù)責(zé)3300V及以上電壓IGBT模塊的IGBT晶圓設(shè)計(jì):負(fù)責(zé)對接IGBT模塊研發(fā)部門,根據(jù)其需求進(jìn)行IGBT晶圓立項(xiàng)開發(fā),并根據(jù)需求與TD部門溝通工藝,完成原胞和終端設(shè)計(jì),DOE設(shè)計(jì),流片驗(yàn)證,可靠性驗(yàn)證,根據(jù)模塊研發(fā)部的問題反饋進(jìn)行器件優(yōu)化。
2、負(fù)責(zé)工程實(shí)驗(yàn)規(guī)劃、進(jìn)度追蹤、產(chǎn)品失效分析及改善,撰寫整理實(shí)驗(yàn)報(bào)告及改進(jìn)措施
3、根據(jù)項(xiàng)目需求,可以進(jìn)行1200V/1700V部分項(xiàng)目的IGBT晶圓開發(fā)和項(xiàng)目推進(jìn)
4、當(dāng)負(fù)責(zé)的芯片在模塊上發(fā)生問題時(shí),協(xié)助模塊部門進(jìn)行失效分析以及異常排查工作
任職資格:
1、碩士及以上學(xué)歷,微電子、物理、電子科學(xué)與技術(shù)等半導(dǎo)體相關(guān)專業(yè),5年以上半導(dǎo)體相關(guān)工作經(jīng)驗(yàn),具備模塊晶圓設(shè)計(jì)項(xiàng)目經(jīng)歷。參與過IGBT7晶圓設(shè)計(jì)人員優(yōu)先
2、可以獨(dú)立開發(fā)產(chǎn)品,能勝任benchmark分析到版圖設(shè)計(jì),DOE,CP測試規(guī)范,產(chǎn)品評估,工程批報(bào)告撰寫,需要推進(jìn)產(chǎn)品項(xiàng)目,匯報(bào)項(xiàng)目進(jìn)展
3、可以負(fù)責(zé)車規(guī)IGBT晶圓開發(fā),有車規(guī)IGBT晶圓設(shè)計(jì)項(xiàng)目經(jīng)歷(或者大功率模塊項(xiàng)目也可以)
4、熟練使用Sentaurus 等TCAD仿真軟件
3300V工程師任職資格
1、碩士及以上學(xué)歷,微電子、物理、電子科學(xué)與技術(shù)等半導(dǎo)體相關(guān)專業(yè),5年以上半導(dǎo)體相關(guān)工作經(jīng)驗(yàn),具備模塊晶圓設(shè)計(jì)項(xiàng)目經(jīng)歷。
2、可以進(jìn)行3300V/4500V/6500V等高壓IGBT產(chǎn)品設(shè)計(jì),具備其中一個(gè)電壓等級的項(xiàng)目開發(fā)經(jīng)歷
3、能夠撰寫3300V等重大項(xiàng)目匯報(bào)報(bào)告,熟練使用Sentaurus 等TCAD仿真軟件