崗位職責:
1. 熟悉目前主流的高深寬比刻蝕機臺;
2. 開發(fā)和改進高深寬比CAP EH(AR:45-55) 相關工藝配方,以滿足工藝結構要求;
3. CAP EH patterning(SAQP) 工藝優(yōu)化從而改善工藝窗口;
4. 設計和管理DOE實驗,分析,提取,報告和總結,以優(yōu)化關鍵流程并確定后續(xù)行動。
任職要求:
1. 碩士及以上學歷,物理、化學、材料、微電子或其他相關理工科領域;
2. 3年以上半導體制造Dry ETCH工藝相關經驗 掌握各Dry ETCH工藝特點,熟悉及深入了解蝕刻相關半導體制程與設備相關知識,具有跨部門多方面知識為佳;
3. 良好的溝通協(xié)調技巧,較佳的表達力和執(zhí)行力;
4. 具有處理復雜問題能力及有效運用資源提出解決方案。