崗位職責:
一、負責GaN微波器件設計與開發(fā),包括HEMT器件及MMIC電路;
二、 與代工廠配合完成器件流片、測試、封裝等;
三、 負責評估與優(yōu)化GaN微波器件產(chǎn)品性能;
四、 協(xié)助提供GaN微波器件產(chǎn)品應用方案,配合市市場部門進行產(chǎn)品推廣與維護;
五、 完成領導交辦的其他工作任務。
崗位需求:
一、 微電子專業(yè),微波工程或電子工程相關專業(yè)碩士以上學歷。
二、 10年以上GaN微波HEMT器件或MMIC產(chǎn)品設計經(jīng)驗,豐富的射頻功率放大器電路和匹配設計經(jīng)驗。
三、 熟悉Cadence、ADS、HFSS等設計仿真工具。
四、 熟練使用網(wǎng)路分析儀、頻譜儀等微波測試設備,熟悉微波產(chǎn)品測試方法和流程。
五、 熟練使用英文。
六、 具有項目管理經(jīng)驗,執(zhí)行力強。具有良好的溝通技巧,能夠在快速變化的創(chuàng)業(yè)氛圍中承受壓力。
工作地點:青島、湖州、深圳
薪資:條件優(yōu)秀可談