專業(yè)要求 微電子與固體電子、半導(dǎo)體器件與物理等相關(guān)專業(yè)，具有扎實的物理基礎(chǔ)和半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)
工作經(jīng)驗 5年及以上相關(guān)工作經(jīng)驗（能力強可放寬）
工作技能 1、熟悉MOSFET、IGBT、FRD、SIC mos,SIC SBD等功率半導(dǎo)體器件的開發(fā)流程；
2、具有模/數(shù)電路、電路理論、電力電子等理論基礎(chǔ)，熟悉相關(guān)規(guī)范，對整流器、開關(guān)電源等相關(guān)項目具有一定經(jīng)驗；
3、熟練使用AD、Cadence等專業(yè)軟件；
其他要求 有一定實踐經(jīng)驗，具有較強的溝通與協(xié)作能力。
1、負(fù)責(zé)IGBT、MOSFET、FRD、SIC MOS、SIC SBD/JBS等功率半導(dǎo)體芯片設(shè)計與開發(fā)工作，含工藝仿真、結(jié)構(gòu)設(shè)計、版圖繪制和工藝流程制定；
2、負(fù)責(zé)解決芯片設(shè)計與開發(fā)過程中的關(guān)鍵設(shè)計、仿真、工藝等技術(shù)問題，進(jìn)行芯片性能分析及優(yōu)化，確保研發(fā)項目的順利進(jìn)行；
3、相關(guān)專利文件撰寫及申請；
4、負(fù)責(zé)功率半導(dǎo)體器件新技術(shù)、新標(biāo)準(zhǔn)、新工具和新方法學(xué)的研究及開發(fā)。