崗位職責(zé):
1.熟悉功率半導(dǎo)體器件(IGBT, MOSFET, SiC, GaN)的工作原理和特性。
2.具備功率模塊動(dòng)靜態(tài)測(cè)試經(jīng)驗(yàn),熟悉相關(guān)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)和流程者優(yōu)先。
3.能熟練操作示波器、功率分析儀、半導(dǎo)體參數(shù)分析儀、熱阻測(cè)試儀等測(cè)試設(shè)備。
4.有
雙脈沖測(cè)試、功率循環(huán)測(cè)試等實(shí)際項(xiàng)目經(jīng)驗(yàn)。(加分項(xiàng))
5.了解相關(guān)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),如 JEDEC, AEC-Q101, LV324 等。(加分項(xiàng))
要求:
1. 本科及以上學(xué)歷,電力電子、電氣工程、微電子、自動(dòng)化等相關(guān)專業(yè)。
2. 善于交流、、善于分析問題并提供方案;
3.熟練電路圖,會(huì)使用AD,C++等軟件。
3. 良好的英語(yǔ)讀寫能力,能適應(yīng)出差。