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更新于 7月11日

化合物射頻芯片研發(fā)工程師

2-3.5萬
  • 成都雙流區(qū)
  • 3-5年
  • 碩士
  • 全職
  • 招1人

職位描述

芯片GANGAAS電子/半導體/集成電路
崗位職責: 1、負責射頻功放芯片設計方面的工作; 2、進行電路評估、原理圖設計、版圖設計以及相關驗證工作,同時撰寫相關文檔; 3、配合測試工程師完成測試調試debug等相關工作。
任職要求: 1、電子工程碩士以上學歷; 2、3~5年化合物功放設計以及量產經驗; 3、對化合物器件、電路、散熱、可靠性等方面有比較深入的認知; 4、具有GaAs/SOI/SiGe/CMOS/GaN 射頻前端芯片一項或者多項經驗,優(yōu)先考慮; 5、熟悉使用ADS軟件、EM電磁仿真工具。

工作地點

成都雙流區(qū)AI創(chuàng)新中心A4

職位發(fā)布者

李女士/HR

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