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崗位職責(zé)：
1. 針對(duì)RRAM產(chǎn)品，多維度提升器件性能；
2. 分析器件電性數(shù)據(jù)，能及時(shí)發(fā)現(xiàn)問(wèn)題，并提出問(wèn)題解決方案；
3. 負(fù)責(zé)器件測(cè)試結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，與layout團(tuán)隊(duì)完成test key gds設(shè)計(jì)；
4. 負(fù)責(zé)制定器件測(cè)試方案，與測(cè)試團(tuán)隊(duì)優(yōu)化器件測(cè)試算法；
5. 設(shè)計(jì)器件優(yōu)化的DOE方案，分析實(shí)驗(yàn)結(jié)果，進(jìn)行迭代優(yōu)化；
6. 負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)規(guī)則制定；
7. 負(fù)責(zé)tape out相關(guān)工作；
8. 負(fù)責(zé)spice model，PDK建立相關(guān)工作；
9. 為工藝團(tuán)隊(duì)提供器件改善的工藝方案；
10. 為器件的可靠性提升提供方案。
任職要求：
1. 有Foundry半導(dǎo)體器件開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn)；
2. 對(duì)process flow, device architecture, design rule, TCAD, SPICE, mask tape out有較豐富了解；
3. 具備器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，測(cè)試，優(yōu)化的能力；
4. 具有較強(qiáng)的數(shù)據(jù)分析能力；
5. 具有12寸Memeory產(chǎn)品(Nor, NAND)相關(guān)開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先；
6. 具有新型存儲(chǔ)器如RRAM, PCRAM, MRAM,FeRAM等相關(guān)開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先；
7. 能承受一定工作壓力，具有敬業(yè)精神，具備團(tuán)隊(duì)協(xié)作精神和良好的溝通能力；
8. 動(dòng)手能力強(qiáng)，細(xì)致認(rèn)真，有很好的獨(dú)立處理問(wèn)題解決問(wèn)題的能力；
9. 理工科背景，碩士及以上學(xué)歷，5年以上半導(dǎo)體研發(fā)工作經(jīng)驗(yàn)。