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更新于 6月18日

環(huán)保工程師

1.2-2萬
  • 北京通州區(qū)
  • 3-5年
  • 本科
  • 全職
  • 招1人

職位描述

注冊環(huán)保工程師廢水廢氣固廢
崗位職責:
1.協(xié)助研究院環(huán)境管理體系、能源管理體系、碳核查管理體系的搭建和維護;
2.監(jiān)督環(huán)保設施的規(guī)范運行并達標排放;
3.識別實驗室環(huán)境風險,推動環(huán)境風險緊急預案的制定和開展演練;
4.做好內(nèi)部環(huán)保檔案和臺賬,組織環(huán)保部門的迎檢工作;
5.完成領導交辦的其他任務。
任職要求:
1.本科及以上學歷,環(huán)境工程、能源、化工等相關理工科專業(yè);
2.3年左右半導體行業(yè)ESH工作經(jīng)驗;
3.能接受一定程度的輪班倒班。

工作地點

北京通州區(qū)京東貝科技園(西南門)

職位發(fā)布者

王雅璇/HR

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公司Logo北京超弦存儲器研究院
北京超弦存儲器研究院于2020年9月在北京經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)成立。作為產(chǎn)學研合作平臺,研究院聚焦國際先進的存儲器技術研發(fā)和高端人才培養(yǎng),致力于實現(xiàn)國產(chǎn)存儲器芯片制造技術的持續(xù)迭代,努力成長為世界存儲器芯片的技術創(chuàng)新高地。研究院的研究方向集中于DRAM制造技術的尺寸微縮,在DRAM新架構、新材料、新工藝、先進封裝、先進光刻技術、近存計算和高帶寬存儲等領域,對未來DRAM量產(chǎn)技術可能存在的主要路徑開展系統(tǒng)的工藝研發(fā)和設計-制造協(xié)同優(yōu)化。目前主要的研究項目包括4F2垂直圍柵晶體管動態(tài)隨機存儲器、銦鎵鋅氧場效應晶體管動態(tài)隨機存儲器、橫向堆疊單元存儲器、垂直圍柵晶體管磁存儲器等基于新器件結構的存儲器制造技術;基于混合鍵合技術的高帶寬存儲器芯片和近存計算、存內(nèi)計算等芯片的設計和制造;以及先進DRAM制造中的關鍵光刻技術和設計技術方法學研究等。研究院擁有12英寸先進DRAM研發(fā)所需的硬件條件,包括傳統(tǒng)的1X DRAM全流程基礎工藝和一系列由特種裝備構成的短流程特色工藝;設計制造協(xié)同優(yōu)化所需的軟件平臺;以及具有豐富的芯片工藝和設計研發(fā)經(jīng)驗的技術團隊。研究院與清華大學、北京大學、中國科學院微電子研究所等國內(nèi)外領先的高校院所和集成電路行業(yè)領軍企業(yè)建立了緊密的合作關系,開展基于項目的研發(fā)合作。同時,研究院與上述三家院所在人才聯(lián)合培養(yǎng)方面開展了系統(tǒng)而緊密的合作,為產(chǎn)業(yè)研究生的培養(yǎng)提供了研發(fā)和實訓平臺。
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