職位描述
半導體設備維護保養(yǎng)半導體設備安裝調(diào)試離子注入設備
崗位內(nèi)容：
1. 負責半導體生產(chǎn)設備的設計、制造、安裝調(diào)試以及運行維護等工作
2. 參與半導體新工藝及新產(chǎn)品轉(zhuǎn)化，在實驗室中進行技術驗證及小批量生產(chǎn)的支持
3. 在協(xié)作開發(fā)項目過程中，積極參與跨功能團隊會議并給出反饋和建議
4. 進行設備使用的培訓及維修指南的編寫，傳遞最佳實踐
任職要求：
1. 大專及以上學歷，電子工程或材料工程相關專業(yè)背景
2. 精通半導體器件工藝和設備制造及調(diào)試流程
3. 具備良好的團隊合作精神和組織協(xié)調(diào)能力
4. 具備獨立思考和解決問題的能力，注重細節(jié)和質(zhì)量控制
1. 負責半導體生產(chǎn)設備的設計、制造、安裝調(diào)試以及運行維護等工作
2. 參與半導體新工藝及新產(chǎn)品轉(zhuǎn)化，在實驗室中進行技術驗證及小批量生產(chǎn)的支持
3. 在協(xié)作開發(fā)項目過程中，積極參與跨功能團隊會議并給出反饋和建議
4. 進行設備使用的培訓及維修指南的編寫，傳遞最佳實踐
任職要求：
1. 大專及以上學歷，電子工程或材料工程相關專業(yè)背景
2. 精通半導體器件工藝和設備制造及調(diào)試流程
3. 具備良好的團隊合作精神和組織協(xié)調(diào)能力
4. 具備獨立思考和解決問題的能力，注重細節(jié)和質(zhì)量控制
工作地點
麗水蓮都區(qū)浙江廣芯微電子有限公司
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職位發(fā)布者
徐曉紅/人事經(jīng)理
剛剛活躍立即溝通
浙江廣芯微電子有限公司廣芯微電子公司建設項目分為二期進行，計劃總投資約30億元，總占地面積148畝。一期新建廠房及配套設施占地3萬余平方米，主要面向6英寸特色工藝高端硅基功率半導體器件，包含IGBT、TMBS等。二期新建廠房及配套設施占地1.4萬余平方米，主要面向第三代半導體碳化硅、氮化鎵功率器件及8英寸特色工藝高端硅基功率器件，包含中低壓分立柵（Split-gate Trench MOS）、超級結(jié)（CoolMOS）、高壓BCD工藝等。二期建設全部完成投產(chǎn)后，將實現(xiàn)年產(chǎn)折合6英寸240萬片特色工藝硅基功率半導體晶圓及年產(chǎn)3.6萬片第三代半導體碳化硅、氮化鎵晶圓。從而滿足我國面向能源革命、高壓軌道交通及特高壓電力系統(tǒng)等對功率半導體分立器件、電源管理芯片的需求。項目建成達產(chǎn)后可形成年產(chǎn)240萬片6英寸高端特色硅基晶圓的生產(chǎn)能力，以滿足我國面向能源革命、高壓軌道交通及特高壓電力系統(tǒng)等對功率半導體分立器件、電源管理芯片的需求，預計達產(chǎn)后可實現(xiàn)年營業(yè)收入28.5億元、稅收1.1億元、營業(yè)利潤2.8億元，稅收1.1億元，工業(yè)增加值7.3億元，新增就業(yè)960余人。
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