☆☆☆本崗位具體薪資面議☆☆☆
1、負(fù)責(zé)碳納米管溝道低維材料 CMOS 器件全流程工藝開(kāi)發(fā)，包含工藝方案設(shè)計(jì)、DOE 實(shí)驗(yàn)規(guī)劃、工藝調(diào)試與參數(shù)優(yōu)化，保障器件性能達(dá)標(biāo)。
2、主導(dǎo)光刻、刻蝕、薄膜沉積、金屬化、平坦化等核心工藝模塊的協(xié)同整合與工藝平臺(tái)搭建，推動(dòng)工藝平臺(tái)迭代升級(jí)，負(fù)責(zé)中試線(xiàn)工藝驗(yàn)證及量產(chǎn)轉(zhuǎn)化落地。
3、開(kāi)展工藝方案可行性論證，識(shí)別工藝開(kāi)發(fā)中的潛在風(fēng)險(xiǎn)并制定管控、釋放策略，牽頭解決器件工藝開(kāi)發(fā)中的關(guān)鍵技術(shù)難點(diǎn)與良率瓶頸。
4、制定工藝開(kāi)發(fā)相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)化文檔、工藝規(guī)范與操作 SOP，推動(dòng)工藝體系落地；協(xié)同研發(fā)、設(shè)備、良率、測(cè)試等跨部門(mén)團(tuán)隊(duì)，保障工藝開(kāi)發(fā)項(xiàng)目按節(jié)點(diǎn)推進(jìn)。
任職要求：
1、碩士及以上學(xué)歷，物理、材料科學(xué)與工程、微電子學(xué)與固體電子學(xué)、半導(dǎo)體工藝、化學(xué)等相關(guān)專(zhuān)業(yè)背景，優(yōu)先低維材料 / 碳納米管 / 先進(jìn) CMOS 器件相關(guān)研究方向。
2、2 年及以上半導(dǎo)體 fab 工藝整合 / 器件工藝開(kāi)發(fā)實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn)，熟悉 fab 核心工藝模塊原理及實(shí)操流程；有碳納米管 / 二維材料器件工藝或先進(jìn) CMOS（FinFET/GFET 等）工藝開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先，掌握工藝整合思路、DOE 實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)及數(shù)據(jù)復(fù)盤(pán)方法。
3、具備碳納米管材料相關(guān)工藝認(rèn)知，了解碳納米管純化、沉積、圖案化、溝道制備等關(guān)鍵工藝者優(yōu)先，能獨(dú)立分析器件工藝與性能的關(guān)聯(lián)關(guān)系。
4、具備優(yōu)秀的跨部門(mén)溝通協(xié)調(diào)與團(tuán)隊(duì)協(xié)作能力，邏輯思維清晰，問(wèn)題推動(dòng)與解決能力強(qiáng)，能承受工藝開(kāi)發(fā)項(xiàng)目的工作壓力，具備良好的項(xiàng)目管理意識(shí)。