職位描述
芯片器件設計
崗位職責:
1.根據(jù)公司產(chǎn)品規(guī)劃和業(yè)務發(fā)展需求，負責SiC Mos和SBD設計，包括芯片結構、電學參數(shù)和可靠性設計；
2.負責SiC Mos和SBD芯片開發(fā)項目的立項，項目推進和結項；
3.負責與PIE、Fab溝通產(chǎn)品流片需求，與測試和可靠性工程師溝通測試需求；
4.支持產(chǎn)品售前推廣，售后失效分析。
任職要求:
1.學歷專業(yè)：碩士及以上學歷，電子、通信、微電子、物理等專業(yè)背景；
2.工作經(jīng)驗：碩士2年以上，本科4年以上相關經(jīng)驗，有溝槽型功率器件設計經(jīng)驗優(yōu)先；
3.知識技能：掌握功率器件IGBT、MOS、Diode等器件結構原理，并有較深理解，掌握TCAD和版圖相關工具；基本掌握QC七大手法使用；
4.素質(zhì)：良好的溝通協(xié)調(diào)能力和書面表達能力，良好文獻檢索能力，較強的分析和解決問題能力；良好的英語讀、寫能力，CET6及以上。
工作地點
江夏區(qū)武漢市東湖新技術開發(fā)區(qū)(長飛先進半導體)
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方先生/招聘HR
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長飛先進半導體(武漢)有限公司長飛先進是一家專注于碳化硅（SiC）功率半導體產(chǎn)品研發(fā)及制造的企業(yè)，具備從外延生長、器件與模塊設計、晶圓制造到模塊封測的全產(chǎn)業(yè)鏈能力。公司擁有國內(nèi)一流的6英寸產(chǎn)線設備和先進的配套系統(tǒng)，可提供從工業(yè)級到車規(guī)級的SiC SBD、MOSFET全系列產(chǎn)品，廣泛覆蓋新能源汽車、光伏、儲能、充電樁、電力電網(wǎng)等領域。
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