崗位職責:
1、設計砷化鎵、氮化鎵和磷化銦基射頻功率放大器、低噪聲放大器、開關等芯片
2、進行電路仿真、版圖設計和后仿真驗證
3、研究新的電路拓撲和設計技術,提高芯片性能
4、研究新的電路拓撲和設計技術,提高芯片性能
5、與工藝工程師合作,確保設計與工藝的兼容性
6、領導安排的其他事宜
崗位要求:
1、本科及以上學歷,5年以上化合物半導體射頻芯片設計經(jīng)驗,至少3年砷化鎵射頻芯片設計的實際項目經(jīng)驗,具有氮化鎵或磷化銦射頻芯片設計經(jīng)驗者優(yōu)先
2、本科及以上學歷,電子工程、微電子學或相關專業(yè)背景
3、精通射頻和微波電路理論
4、深入了解砷化鎵、氮化鎵和磷化銦等化合物半導體的特性和工藝
熟悉功率放大器、低噪聲放大器、混頻器、開關等射頻電路的設計
精通 ADS、Cadence 等 EDA 工具