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1、負責新型IGBT模塊產品設計開發(fā)與推進相關工作； 2、負責芯片SPICE模型建立、IGBT模塊封裝結構電路參數提取、結合應用需求的電路仿真分析、EMI/EMC研究分析以及封裝結構優(yōu)化設計； 3、IGBT模塊產品特性與可靠性試驗研究及產品DATASHEET工作； 4、IGBT模塊技術市場最新動態(tài)跟蹤與創(chuàng)新發(fā)展規(guī)劃、交流等。

二、任職要求

1、本科及以上，有復合材料力學、復合材料結構設計、復合材料加工工藝、高分子材料有機化學知識背景； 2、3年以上IGBT模塊材料開發(fā)工作經驗； 3、可以熟練閱讀英文文獻以及英文交流，具備一定的寫作和對外交流能力； 4、性格穩(wěn)重、工作學習積極主動、能夠吃苦耐勞、自學能力強、團隊意識強。