崗位職責(zé):
1.DRAM存儲單元的特性與測試規(guī)格開發(fā);
2.感應(yīng)放大器電路性能的調(diào)試以及設(shè)計驗證;
3.核心存儲陣列相關(guān)的芯片內(nèi)部時序設(shè)計窗口評估以及設(shè)計驗證;
4.核心陣列器件特性研究與失效分析;
5.針對低良率的相關(guān)測試項目進(jìn)行分析并且給出改善方向。
任職要求:
1.碩士及以上學(xué)歷,具有元件/微電子/集成電路背景,并具有產(chǎn)品或電性失效分析相關(guān)領(lǐng)域的行業(yè)經(jīng)驗者優(yōu)先;
2.熟悉電路特性分析、元器件內(nèi)部設(shè)計原理、結(jié)構(gòu)及工藝者優(yōu)先;
3.有微電子、物理等相關(guān)學(xué)習(xí)或工作背景者優(yōu)先;
4.嚴(yán)謹(jǐn)細(xì)心,具備良好邏輯思維和溝通能力。