(一)崗位職責(zé):
1. 刻蝕工藝開發(fā)與優(yōu)化:
· 負責(zé)干法刻蝕(如SiO2、SiN、Si、金屬等介質(zhì)/材料的刻蝕)和/或濕法刻蝕工藝的開發(fā)、調(diào)試、優(yōu)化及日常維護。
2. 生產(chǎn)技術(shù)問題解決:
· 快速診斷并解決生產(chǎn)線遇到的刻蝕相關(guān)異常和難題(如刻蝕殘留、側(cè)壁形貌差、過度刻蝕、選擇比不足、顆粒污染等)。
· 協(xié)同設(shè)備工程師處理機臺故障,優(yōu)化設(shè)備狀態(tài)以提升工藝性能。
3. 新產(chǎn)品與工藝開發(fā):
· 支持研發(fā)部門進行新產(chǎn)品的刻蝕工藝開發(fā)與驗證,負責(zé)從研發(fā)到量產(chǎn)的工藝轉(zhuǎn)移。
4. 機臺與供應(yīng)商管理:
· 具備主流刻蝕設(shè)備(如LAM、AMAT、TEL等)的操作和維護經(jīng)驗,能協(xié)同設(shè)備工程師進行機臺狀態(tài)監(jiān)控和工藝性能匹配。
· 與設(shè)備供應(yīng)商技術(shù)支持緊密合作,推動設(shè)備硬軟件問題的解決和工藝能力的提升。
5. 技術(shù)文檔與標(biāo)準(zhǔn)化:
· 編寫和更新刻蝕工藝操作指導(dǎo)書(SOP)、設(shè)備操作規(guī)范、工藝控制計劃(Control Plan)等關(guān)鍵技術(shù)文檔。
6. 團隊協(xié)作與跨部門溝通:
· 與光刻、薄膜、擴散、集成等工藝模塊工程師緊密合作,共同解決集成問題,提升整體產(chǎn)品良率。
· 指導(dǎo)并培訓(xùn)初級工藝工程師和技術(shù)員。
(二)任職資格要求:
1.碩士及以上學(xué)歷,微電子、半導(dǎo)體物理、材料、化學(xué)、物理等相關(guān)工程專業(yè)。具備3-5年及以上半導(dǎo)體晶圓制造廠刻蝕工藝工程師經(jīng)驗。
2.具備豐富的干法刻蝕工藝經(jīng)驗,熟悉LAM、AMAT(應(yīng)用材料)、TEL(東京電子) 等至少一種主流刻蝕設(shè)備平臺。
3.理解刻蝕工藝原理(物理濺射與化學(xué)反應(yīng)原理),熟悉刻蝕終點檢測(EPD)、副聚合物管理等關(guān)鍵技術(shù)。
4.具備強大的數(shù)據(jù)分析能力,能熟練使用相關(guān)軟件(如JMP, Minitab等)進行SPC分析和DOE實驗設(shè)計。
5.具備獨立解決復(fù)雜工藝問題的能力,思維清晰,有強烈的責(zé)任心和嚴謹?shù)墓ぷ鲬B(tài)度。良好的團隊溝通和協(xié)作能力。
6.有化合物半導(dǎo)體(如GaAs, InP, GaN)、SiC或MEMS刻蝕工藝經(jīng)驗者優(yōu)先。
有金屬刻蝕、高深寬比刻蝕、原子層刻蝕(ALE)等特殊刻蝕工藝經(jīng)驗者優(yōu)先。