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一、工作地點：無錫 二、崗位職責：1、根據(jù)設計需求，開發(fā)基于鈮酸鋰（LNOI）薄膜的光子集成芯片的工藝解決方案，完成制定的工藝目標； 2、開展試驗設計并指導測量表征工作，評估芯片工藝流程的成熟度； 3、能快速定位、分析芯片的各種缺陷、故障、失效問題，并提出解決方案； 4、與光子學設計部門溝通，了解不同技術的需求和所需的工藝規(guī)范，以形成成熟的PDK。 三、任職要求： 1、博士學位，光學工程、物理、半導體相關專業(yè)，研究方向和鈮酸鋰薄膜光子芯片相關； 2、從事過光子集成芯片的設計、仿真、版圖繪制、測試等工作，有薄膜鈮酸鋰光子芯片器件開發(fā)者優(yōu)先； 3、熟悉鈮酸鋰（LNOI）薄膜、硅基光子芯片的微納加工技術、設備、檢測方法； 4、了解光子器件仿真，了解但不限于lumerical、COMSOL等光學軟件仿真軟件； 5、工作細心，具備良好的表達能力及溝通理解能力。