職位描述
光刻工藝蝕刻工藝離子注入工藝磁控濺射工藝電子/半導體/集成電路
一、崗位職責
1. 參與日常值班，解決線上的異常問題, 創(chuàng)建升級工藝相關(guān)的SOP/OI/SPC/FMEA；
2. 負責工藝的維護及改進，日常recipe的建立及維護；減少工藝缺陷，優(yōu)化工藝條件，改善CP/CPK，提升良率；
3. 負責新設(shè)備、工藝、材料的開發(fā)、調(diào)試、評估及認證；參與各項改善活動，提出及執(zhí)行降本項目，提升工藝產(chǎn)能。
二、任職要求
1. 本科， 物理/微電子相關(guān)專業(yè)；
2. 細心、 責任心強，有一定抗壓能力。
1. 參與日常值班，解決線上的異常問題, 創(chuàng)建升級工藝相關(guān)的SOP/OI/SPC/FMEA；
2. 負責工藝的維護及改進，日常recipe的建立及維護；減少工藝缺陷，優(yōu)化工藝條件，改善CP/CPK，提升良率；
3. 負責新設(shè)備、工藝、材料的開發(fā)、調(diào)試、評估及認證；參與各項改善活動，提出及執(zhí)行降本項目，提升工藝產(chǎn)能。
二、任職要求
1. 本科， 物理/微電子相關(guān)專業(yè)；
2. 細心、 責任心強，有一定抗壓能力。
獎金績效
13薪
工作地點
麗水蓮都區(qū)浙江廣芯微項目中電二公司項目部
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職位發(fā)布者
葉先生/招聘專員
剛剛活躍立即溝通
浙江廣芯微電子有限公司廣芯微電子公司建設(shè)項目分為二期進行，計劃總投資約30億元，總占地面積148畝。一期新建廠房及配套設(shè)施占地3萬余平方米，主要面向6英寸特色工藝高端硅基功率半導體器件，包含IGBT、TMBS等。二期新建廠房及配套設(shè)施占地1.4萬余平方米，主要面向第三代半導體碳化硅、氮化鎵功率器件及8英寸特色工藝高端硅基功率器件，包含中低壓分立柵（Split-gate Trench MOS）、超級結(jié)（CoolMOS）、高壓BCD工藝等。二期建設(shè)全部完成投產(chǎn)后，將實現(xiàn)年產(chǎn)折合6英寸240萬片特色工藝硅基功率半導體晶圓及年產(chǎn)3.6萬片第三代半導體碳化硅、氮化鎵晶圓。從而滿足我國面向能源革命、高壓軌道交通及特高壓電力系統(tǒng)等對功率半導體分立器件、電源管理芯片的需求。項目建成達產(chǎn)后可形成年產(chǎn)240萬片6英寸高端特色硅基晶圓的生產(chǎn)能力，以滿足我國面向能源革命、高壓軌道交通及特高壓電力系統(tǒng)等對功率半導體分立器件、電源管理芯片的需求，預(yù)計達產(chǎn)后可實現(xiàn)年營業(yè)收入28.5億元、稅收1.1億元、營業(yè)利潤2.8億元，稅收1.1億元，工業(yè)增加值7.3億元，新增就業(yè)960余人。
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