1、負責碳納米管MOSFET器件全流程工藝整合，包括光刻、介質層沉積、刻蝕等工序的流程設計、參數(shù)調試與兼容性驗證。
2、主導開展工藝優(yōu)化工作，針對器件良率偏低、性能波動、工藝穩(wěn)定性不足等問題，通過實驗設計、數(shù)據(jù)復盤，定位工藝瓶頸并提出解決方案（如接觸優(yōu)化、界面修飾、工藝參數(shù)調整、工序優(yōu)化等）。
3、負責器件工藝文檔的撰寫與更新，包括工藝規(guī)范（SOP）、實驗報告、良率分析報告等，建立完整的工藝數(shù)據(jù)庫，保障工藝可追溯、可復制。
4、配合研發(fā)團隊完成碳納米管MOSFET器件性能迭代需求，銜接設計、表征、測試等環(huán)節(jié)，推動工藝與器件設計的匹配優(yōu)化；協(xié)助量產團隊完成工藝放大與落地，解決量產過程中的工藝適配問題。
5、熟練運用工藝表征與電學測試設備（如AFM、SEM、XPS、探針臺、半導體參數(shù)分析儀等），完成工藝驗證、器件測試及數(shù)據(jù)匯總分析，提煉工藝參數(shù)與器件性能的構效關系。
6、參與團隊技術交流、項目申報及工藝技術評審，配合完成國家、省部級科研項目或企業(yè)量產相關項目的推進工作。
7、博士學歷者另要求：能獨立承擔工藝研發(fā)子課題，探索新型碳納米管MOSFET工藝路線，開展原創(chuàng)性工藝技術研究，撰寫高水平學術論文、申請發(fā)明專利；指導初級工程師或碩士開展工藝實驗。
任職要求：
1、碩士及以上學歷，材料科學與工程、微電子學與固體電子學、半導體器件、納米科學與技術等相關專業(yè)，應屆生或1-3年相關工作經驗均可。
2、具備工藝整合思維，能快速識別各工藝環(huán)節(jié)的兼容性問題，具備實驗設計、參數(shù)調試、問題排查與解決的能力（博士需具備獨立攻堅能力，碩士需具備協(xié)助優(yōu)化能力）。
3、熟練掌握至少1種半導體工藝相關工具，熟悉光刻、刻蝕、薄膜沉積（PVD/CVD）等基礎工藝，能獨立操作或協(xié)助操作相關工藝設備者優(yōu)先。
4、能熟練運用器件表征與電學測試設備，具備良好的數(shù)據(jù)處理、分析與總結能力，能通過數(shù)據(jù)分析定位工藝問題、優(yōu)化工藝參數(shù)。
5、具備良好的英文讀寫能力，能閱讀英文工藝文獻、技術手冊；博士需具備英文論文撰寫能力，有SCI論文發(fā)表或發(fā)明專利申請經驗者優(yōu)先。
6、對碳納米管MOSFET工藝領域有濃厚興趣，具備嚴謹?shù)墓ぷ鲬B(tài)度、較強的責任心和執(zhí)行力，注重細節(jié)（工藝實操核心要求）。
7、具備良好的團隊協(xié)作精神與溝通能力，能高效對接研發(fā)、測試、量產等不同環(huán)節(jié)的同事，推動工作落地。
8、具備較強的學習能力和抗壓能力，能快速適應工藝迭代需求，主動學習新型工藝技術，勇于解決工藝難題。
9、博士學歷者另要求：具備較強的創(chuàng)新思維和獨立開展工藝研發(fā)工作的能力，能主導核心工藝難題的攻堅與技術突破。